一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法

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	一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
其他题名	一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
	袁诗鑫; 李杰; 彭中灵; 陈新禹; 俞锦陛; 郭世平; 乔怡敏; 于梅芳; 谢钦熙
	1993-09-01
专利权人	中国科学院上海技术物理研究所
公开日期	1993-09-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的 Zn1-xCdzSySc1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。
其他摘要	本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的 Zn1-xCdzSySc1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。
主权项	一种兰绿色半导体激光器材料，采用n型载流子浓度为1×1018厘米-3的(100)GaAs衬底，在衬底上逐层生长有： (1)1微米厚度电子浓度为1×1018厘米-3的GaAs过渡层， (2)2.0～2.5微米厚载流子浓度为5×1017厘米-3的n型缓冲层，其特征在于： (3)原子层外延法生长的原子层超晶格多量子阱有源区{ZnSe(20纳米)--[(ZnSe)m(CdSe)n]j}M，其中m与n为不大于4的单原子层数，j是小于15的原子层超晶格周期数，M为5～7的多量子阱的个数， (4)1微米厚的载流子浓度为4×1017厘米-3的P型ZnSe层， (5)20-30纳米厚的载流子浓度为1×1020厘米-3的P型ZnSe层的接触层。
申请日期	1992-12-15
专利号	CN1075831A
专利状态	失效
申请号	CN92113809.1
公开（公告）号	CN1075831A
IPC 分类号	H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	高毓秋
代理机构	中国科学院上海专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65732
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	袁诗鑫,李杰,彭中灵,等. 一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法. CN1075831A[P]. 1993-09-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1075831A.PDF（408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文