平坦化半导体器件和钝化层的方法

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	平坦化半导体器件和钝化层的方法
其他题名	平坦化半导体器件和钝化层的方法
	P·弗里斯; J·汉伯格
	2005-10-19
专利权人	英特尔公司
公开日期	2005-10-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度，其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感，提供器件侧壁的完整钝化，保护器件不受蚀刻引起的损害，和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造，诸如，但不受限于，蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。
其他摘要	根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度，其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感，提供器件侧壁的完整钝化，保护器件不受蚀刻引起的损害，和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造，诸如，但不受限于，蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。
主权项	一种制造微电子元件的方法，包括：在衬底上形成器件层；在器件层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模，来限定暴露的硬掩模层；从器件层上除去暴露的硬掩模层以形成限定暴露的器件层的硬掩模；从衬底上除去抗蚀剂掩模和暴露的器件层；除去硬掩模与硬掩模周边附近的衬底之间的部分器件层来限定器件层与硬掩模之间的阶跃界面；用钝化层覆盖器件层和至少部分硬掩模以及相邻的衬底，来限定钝化层表面；将钝化层表面降低至暴露硬掩模；和除去硬掩模。
申请日期	2003-12-18
专利号	CN1685487A
专利状态	失效
申请号	CN200380100110.5
公开（公告）号	CN1685487A
IPC 分类号	H01L21/033 \| H01L21/306 \| H01L21/308 \| H01L21/3213 \| H01L23/31 \| H01L21/56
专利代理人	张雪梅 \| 王忠忠
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65693
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	英特尔公司
推荐引用方式 GB/T 7714	P·弗里斯,J·汉伯格. 平坦化半导体器件和钝化层的方法. CN1685487A[P]. 2005-10-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1685487A.PDF（1138KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文