叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法

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	叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法
其他题名	叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法
	王大拯; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁
	2010-02-03
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2010-02-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽；步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。
其他摘要	本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽；步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。
主权项	一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽；步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。
申请日期	2008-07-31
专利号	CN101640368A
专利状态	失效
申请号	CN200810117495.0
公开（公告）号	CN101640368A
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S5/024 \| G02B6/00 \| H01S3/067
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65677
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王大拯,冯小明,王勇刚,等. 叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法. CN101640368A[P]. 2010-02-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101640368A.PDF（310KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文