在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
其他题名	在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
	赵英杰; 郝永芹; 晏长岭; 王晓华; 姜晓光; 芦鹏
	2005-06-01
专利权人	长春理工大学
公开日期	2005-06-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接的有可能会出现脱落。本发明在激光器圆台台面、焊盘台面及连接面上同时刻蚀均匀分布的孔，这样就能够在整个芯片中制作一个连续、完整的氧化物限制层；之后，在分布有若干小孔的上电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。上述方案解决了已知技术的问题。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。
其他摘要	在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接的有可能会出现脱落。本发明在激光器圆台台面、焊盘台面及连接面上同时刻蚀均匀分布的孔，这样就能够在整个芯片中制作一个连续、完整的氧化物限制层；之后，在分布有若干小孔的上电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。上述方案解决了已知技术的问题。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。
主权项	一种在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法，在半导体芯片供蒸镀电极的表面上制作一些孔，用超声球焊法将引线球焊头焊接在半导体芯片上电极上，其特征在于，在垂直腔面发射半导体激光器圆台台面(3)上刻蚀环形分布孔(5)的同时，在焊盘台面(1)及连接面(2)上同时刻蚀均匀分布的小孔(8)，刻蚀的深度与环形分布孔(5)相同，到达制作氧化物限制层的深度；之后， 1)在为了形成半导体激光器谐振腔孔径，而通过环形分布孔(5)，采用氧化方法制作氧化物限制层的同时，也通过在焊盘台面1及连接面(2)上均匀分布的小孔(8)，以及激光器芯片周边，在焊盘台面(1)和连接面(2)下面的相应深度形成一个连续、完整的氧化物限制层； 2)在经过钝化处理的这种焊盘台面(1)及连接面(2)上蒸镀上电极，在这种平面电极上依然均匀分布有若干小孔(8)，将引线球焊头在该电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔(8)，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。
申请日期	2005-01-05
专利号	CN1622404A
专利状态	失效
申请号	CN200510000130
公开（公告）号	CN1622404A
IPC 分类号	H01L21/28 \| H01L21/44 \| H01L21/60 \| H01L21/607 \| H01S5/00 \| H01S5/183
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65650
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵英杰,郝永芹,晏长岭,等. 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法. CN1622404A[P]. 2005-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1622404A.PDF（270KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文