二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法

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	二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法
其他题名	二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法
	罗帅; 季海铭; 高凤; 杨涛
	2015-04-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-04-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；在脊型条结构的上面开电极窗口；在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极；将InP衬底减薄、抛光；在InP衬底的背面蒸镀N面电极；退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。
其他摘要	一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；在脊型条结构的上面开电极窗口；在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极；将InP衬底减薄、抛光；在InP衬底的背面蒸镀N面电极；退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。
主权项	一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤2：通过全息曝光及刻蚀方法在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；步骤3：在具有布拉格光栅条纹的基片上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；步骤4：在InGaAs接触层上向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；步骤5：在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；步骤6：在脊型条结构的上面开电极窗口；步骤7：在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极，形成基片；步骤8：将基片的InP衬底减薄、抛光；步骤9：在InP衬底的背面蒸镀N面电极，形成芯片；步骤10：将芯片退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。
申请日期	2014-12-24
专利号	CN104538843A
专利状态	失效
申请号	CN201410818520.3
公开（公告）号	CN104538843A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65517
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗帅,季海铭,高凤,等. 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法. CN104538843A[P]. 2015-04-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104538843A.PDF（495KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文