Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有共掺杂增益介质的光学泵浦固态激光器 | |
| 其他题名 | 具有共掺杂增益介质的光学泵浦固态激光器 |
| U·韦克曼; P·J·施米特 | |
| 2009-09-09 | |
| 专利权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种固态激光器，其包括固态基质材料的增益介质(6)，所述增益介质共掺杂有Ce3+－离子和另外的稀土材料的离子。所述基质材料被选择成使得Ce3+－离子的5d能带的下边缘在能量上高于另外的稀土材料的离子的上激光发射态。这种激光器能够用波长区在400和450nm之间的GaN激光二极管(4)进行光学泵浦并且以可见波长范围发射激光辐射。特别是，利用这种激光器，能够实现在绿色波长区发射的GaN二极管激光泵浦的固态激光器。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种固态激光器，其包括固态基质材料的增益介质(6)，所述增益介质共掺杂有Ce3+－离子和另外的稀土材料的离子。所述基质材料被选择成使得Ce3+－离子的5d能带的下边缘在能量上高于另外的稀土材料的离子的上激光发射态。这种激光器能够用波长区在400和450nm之间的GaN激光二极管(4)进行光学泵浦并且以可见波长范围发射激光辐射。特别是，利用这种激光器，能够实现在绿色波长区发射的GaN二极管激光泵浦的固态激光器。 |
| 主权项 | 固态激光器，包括固态基质材料的增益介质(6)，所述增益介质共掺杂有Ce3+-离子和另外的稀土材料的离子，所述基质材料被选择成使得所述Ce3+-离子的5d能带的下边缘在能量上高于所述另外的稀土材料的离子的上激光发射态。 |
| 申请日期 | 2007-10-15 |
| 专利号 | CN101529672A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200780039625.7 |
| 公开（公告）号 | CN101529672A |
| IPC 分类号 | H01S3/0941 | H01S3/16 | H01S3/094 |
| 专利代理人 | 龚海军 | 谭祐祥 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65466 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | U·韦克曼,P·J·施米特. 具有共掺杂增益介质的光学泵浦固态激光器. CN101529672A[P]. 2009-09-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101529672A.PDF（159KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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