Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有含铟包层的半导体激光器 | |
| 其他题名 | 具有含铟包层的半导体激光器 |
| R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎 | |
| 2013-11-20 | |
| 专利权人 | 康宁股份有限公司 |
| 公开日期 | 2013-11-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 半导体激光器的一个实施例包括：(a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN衬底；(b)位于衬底之上的n掺杂包层；(c)位于n掺杂包层之上的p掺杂包层；(d)位于n掺杂包层和p掺杂包层之间的至少一个有源层，并且所述包层中的至少一个包括AlInGaN/GaN、AlInGaN/AlGaN、AlInGaN//InGaN或AlInGaN/AlN的超结构结构，其组成使整个结构的总晶格失配应变不超出40nm％。 |
| 其他摘要 | 半导体激光器的一个实施例包括：(a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN衬底；(b)位于衬底之上的n掺杂包层；(c)位于n掺杂包层之上的p掺杂包层；(d)位于n掺杂包层和p掺杂包层之间的至少一个有源层，并且所述包层中的至少一个包括AlInGaN/GaN、AlInGaN/AlGaN、AlInGaN//InGaN或AlInGaN/AlN的超结构结构，其组成使整个结构的总晶格失配应变不超出40nm％。 |
| 主权项 | 一种具有结构的半导体激光器，包括： (a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN衬底； (b)位于所述衬底之上的n掺杂包层； (c)位于所述n掺杂包层之上的p掺杂包层； (d)位于所述n掺杂包层和所述p掺杂包层之间的至少一个有源层，其中 所述包层中的至少一个包含铟并包括四元/二元、三元/二元和/或四元/三元子层的超结构。 |
| 申请日期 | 2012-02-02 |
| 专利号 | CN103403985A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201280010630.6 |
| 公开（公告）号 | CN103403985A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | 姬利永 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65310 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·巴特,D·S·兹佐夫,C-E·扎. 具有含铟包层的半导体激光器. CN103403985A[P]. 2013-11-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103403985A.PDF（1902KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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