掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法

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	掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
其他题名	掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
	李效民; 边继明; 张灿云; 赵俊亮
	2005-12-14
专利权人	中国科学院上海硅酸盐研究所
公开日期	2005-12-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法，属于半导体材料领域。本发明配制锌源和氮源构成摩尔配比为Zn2+∶NH4 +＝1∶(1－3)的先驱体溶液，经超声波雾化器雾化，雾化后的载气经气液分离管进入成膜室，在常压下单晶硅片、石英玻璃片或蓝宝石片衬底表面沉积成p－ZnO薄膜并控制衬底温度控制在500－800℃。本发明所制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－2－10－3Ωcm，迁移率最高可达145cm2V－1s－1，同时具有强的室温紫外发光特性和较高的结晶质量可满足氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。本发明具有工艺简单易行，操作方便，原料丰富，制作成本低的特点。
其他摘要	本发明涉及掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法，属于半导体材料领域。本发明配制锌源和氮源构成摩尔配比为Zn2+∶NH4 +＝1∶(1－3)的先驱体溶液，经超声波雾化器雾化，雾化后的载气经气液分离管进入成膜室，在常压下单晶硅片、石英玻璃片或蓝宝石片衬底表面沉积成p－ZnO薄膜并控制衬底温度控制在500－800℃。本发明所制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－2－10－3Ωcm，迁移率最高可达145cm2V－1s－1，同时具有强的室温紫外发光特性和较高的结晶质量可满足氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。本发明具有工艺简单易行，操作方便，原料丰富，制作成本低的特点。
主权项	掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法，包括下述步骤： (1)配制锌源和氮源构成的先驱体溶液，溶液中摩尔配比为Zn2+∶NH4 +＝1∶(1-3)； (2)先驱体溶液经超声波雾化器雾化，雾化后的载气经气液分离管进入成膜室，在常压下单晶硅片、石英玻璃片或蓝宝石片衬底表面沉积成空穴型ZnO薄膜，衬底温度控制在500-800℃。
申请日期	2004-06-09
专利号	CN1707752A
专利状态	失效
申请号	CN200410025029.1
公开（公告）号	CN1707752A
IPC 分类号	H01L21/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65307
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海硅酸盐研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李效民,边继明,张灿云,等. 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法. CN1707752A[P]. 2005-12-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1707752A.PDF（549KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文