一种高功率半导体激光器系统及其制备方法

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	一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
其他题名	一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
	张普; 刘兴胜; 熊玲玲; 王贞福; 聂志强
	2014-12-03
专利权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2014-12-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法，以提高半导体激光器的可靠性，从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单，能够降低半导体激光器整体成本；能够大大提高半导体激光器的工作寿命，避免了不必要的损失。
其他摘要	本发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法，以提高半导体激光器的可靠性，从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单，能够降低半导体激光器整体成本；能够大大提高半导体激光器的工作寿命，避免了不必要的损失。
主权项	一种高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，其特征在于：所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联；所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压，电源用于向半导体激光器芯片供电；所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。
申请日期	2014-08-20
专利号	CN104184044A
专利状态	失效
申请号	CN201410412518.6
公开（公告）号	CN104184044A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/024
专利代理人	杨引雪
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65209
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张普,刘兴胜,熊玲玲,等. 一种高功率半导体激光器系统及其制备方法. CN104184044A[P]. 2014-12-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104184044A.PDF（407KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文