Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 | |
其他题名 | 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 |
汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 | |
2011-05-11 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-05-11 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层;步骤2:在激光器区域制作布拉格光栅,然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层;步骤3:在外延片上刻蚀脊型光波导,使用He离子注入提高隔离区电阻,然后钝化及平坦化表面,最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单,可靠性高,消除了热电子对激光器性能的影响,提高了激光器的特征温度,可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层;步骤2:在激光器区域制作布拉格光栅,然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层;步骤3:在外延片上刻蚀脊型光波导,使用He离子注入提高隔离区电阻,然后钝化及平坦化表面,最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单,可靠性高,消除了热电子对激光器性能的影响,提高了激光器的特征温度,可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。 |
主权项 | 一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1:在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层; 步骤2:在激光器区域制作布拉格光栅,然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层; 步骤3:在外延片上刻蚀脊型光波导,使用He离子注入提高隔离区电阻,然后钝化及平坦化表面,最后制作p型和n型电极。 |
申请日期 | 2009-11-04 |
专利号 | CN102055133A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200910237090.5 |
公开(公告)号 | CN102055133A |
IPC 分类号 | H01S5/125 | H01S5/343 | H01S5/06 |
专利代理人 | 周国城 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65165 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪洋,赵玲娟,朱洪亮,等. 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法. CN102055133A[P]. 2011-05-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102055133A.PDF(462KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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