高功率半导体激光器阵列掩膜装置

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	高功率半导体激光器阵列掩膜装置
其他题名	高功率半导体激光器阵列掩膜装置
	刘云; 王立军; 宁永强; 秦莉; 单肖楠; 付喜宏; 张金龙
	2011-11-23
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2011-11-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	高功率半导体激光器阵列掩膜装置，涉及电子学技术领域，它解决现有高功率半导体激光器阵列的器件的绝缘片与芯片的热沉焊接采用人工涂抹过程中易出现焊料涂抹不均匀及涂抹错位，导致器件的稳定性和可靠性差的问题，本发明包括第一掩膜板、第二掩膜板、掩膜条和掩膜板架，所述第一掩膜板和第二掩膜板分别固定在掩膜板架上，第一掩膜板和第二掩膜板上分别设有六个掩膜板方孔组，每个掩膜板方孔组由掩膜条平均分成两个掩膜板方孔；掩膜板架内设置两个掩膜板架方孔组，每个掩膜板架方孔组上分别设置与第一掩膜板和第二掩膜板对称的六个掩膜板架方孔。本装置简单实用、制作成本低廉、器件一致性好、焊料涂抹精度高，适用于高功率半导体激光阵列的制作。
其他摘要	高功率半导体激光器阵列掩膜装置，涉及电子学技术领域，它解决现有高功率半导体激光器阵列的器件的绝缘片与芯片的热沉焊接采用人工涂抹过程中易出现焊料涂抹不均匀及涂抹错位，导致器件的稳定性和可靠性差的问题，本发明包括第一掩膜板、第二掩膜板、掩膜条和掩膜板架，所述第一掩膜板和第二掩膜板分别固定在掩膜板架上，第一掩膜板和第二掩膜板上分别设有六个掩膜板方孔组，每个掩膜板方孔组由掩膜条平均分成两个掩膜板方孔；掩膜板架内设置两个掩膜板架方孔组，每个掩膜板架方孔组上分别设置与第一掩膜板和第二掩膜板对称的六个掩膜板架方孔。本装置简单实用、制作成本低廉、器件一致性好、焊料涂抹精度高，适用于高功率半导体激光阵列的制作。
主权项	高功率半导体激光器阵列掩膜装置，其特征是，该装置包括第一掩膜板(1)、第二掩膜板(2)、掩膜条(3)和掩膜板架(4)，所述第一掩膜板(1)和第二掩膜板(2)分别固定在掩膜板架(4)上，所述第一掩膜板(1)和第二掩膜板(2)上分别设有六个掩膜板方孔组，每个掩膜板方孔组由掩膜条(3)平均分成两个掩膜板方孔(5)；所述掩膜板架(4)内设置两个掩膜板架方孔组，所述每个掩膜板架方孔组上分别设置与第一掩膜板(1)和第二掩膜板(2)对称的六个掩膜板架方孔(6)。
申请日期	2011-06-13
专利号	CN102251212A
专利状态	失效
申请号	CN201110157807.2
公开（公告）号	CN102251212A
IPC 分类号	C23C14/04 \| C23C14/24
专利代理人	陶尊新
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65150
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘云,王立军,宁永强,等. 高功率半导体激光器阵列掩膜装置. CN102251212A[P]. 2011-11-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102251212A.PDF（388KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文