Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法 |
| 芦鹏; 郭仁红; 刘学东; 赵英杰; 许鹏; 李再金; 王勇; 李特; 乔忠良; 刘国军; 马晓辉 | |
| 2013-04-03 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2013-04-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。本发明通过对半导体激光器bar条的前后腔面的离子预清洗后，采用磁控溅射方法，在bar条的前后腔面沉积立方氮化硼(c-BN)层，然后再在前后腔面分别镀增透膜以及高反膜。该发明方案可应用于各类半导体激光器。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。本发明通过对半导体激光器bar条的前后腔面的离子预清洗后，采用磁控溅射方法，在bar条的前后腔面沉积立方氮化硼(c-BN)层，然后再在前后腔面分别镀增透膜以及高反膜。该发明方案可应用于各类半导体激光器。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。 |
| 申请日期 | 2012-11-22 |
| 专利号 | CN103022894A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210513084.X |
| 公开（公告）号 | CN103022894A |
| IPC 分类号 | H01S5/028 | C23C14/06 | C23C14/35 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65148 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芦鹏,郭仁红,刘学东,等. 一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法. CN103022894A[P]. 2013-04-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103022894A.PDF（232KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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