一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器

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	一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器
其他题名	一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器
	王智勇; 王青; 尧舜; 郑建华; 高鹏坤
	2015-01-28
专利权人	北京工业大学
公开日期	2015-01-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
其他摘要	一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
主权项	一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜层(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)；该缓冲层(2)生长在所述衬底(1)上；下分布布拉格反射镜层(3)生长在所述缓冲层(2)上；该下相位匹配层(4)生长在所述下分布布拉格反射镜层(3)上；亚集电极层(5)生长在所述下相位匹配层(4)上；集电极层(6)生长在所述亚集电极层(5)上；基极及量子阱有源区层(7)生长在所述集电极层(6)上；发射极层(8)生长在所述基极及量子阱有源区层(7)上；上相位匹配层(9)生长在所述发射极层(8)上；氧化限制层(10)生长在所述上相位匹配层(9)上；上分布布拉格反射镜层(11)生长在所述氧化限制层(10)上。
申请日期	2014-10-11
专利号	CN104319626A
专利状态	失效
申请号	CN201410535772.5
公开（公告）号	CN104319626A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	沈波
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65120
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,王青,尧舜,等. 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器. CN104319626A[P]. 2015-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104319626A.PDF（401KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文