一种调节占空比的刻蚀方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种调节占空比的刻蚀方法
其他题名	一种调节占空比的刻蚀方法
	尚飞; 郭海侠; 冯晓芳
	2017-12-08
专利权人	青岛海信宽带多媒体技术有限公司
公开日期	2017-12-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请提供了一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，该方法包括：将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对所述刻蚀材料进行刻蚀。以实现在不改变全息曝光工艺的前提下，在半导体激光器芯片制造工艺的全息曝光制备光栅过程中，使得对占空比连续调节且占空比大于0.5。
其他摘要	本申请提供了一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，该方法包括：将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对所述刻蚀材料进行刻蚀。以实现在不改变全息曝光工艺的前提下，在半导体激光器芯片制造工艺的全息曝光制备光栅过程中，使得对占空比连续调节且占空比大于0.5。
主权项	一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，其特征在于，包括：将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀材料进行刻蚀。
申请日期	2017-06-22
专利号	CN107450118A
专利状态	申请中
申请号	CN201710483323.4
公开（公告）号	CN107450118A
IPC 分类号	G02B5/18
专利代理人	龚家骅
代理机构	北京鑫媛睿博知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65074
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	青岛海信宽带多媒体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	尚飞,郭海侠,冯晓芳. 一种调节占空比的刻蚀方法. CN107450118A[P]. 2017-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107450118A.PDF（508KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文