低温低压合成氮化物晶体材料的方法

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	低温低压合成氮化物晶体材料的方法
其他题名	低温低压合成氮化物晶体材料的方法
	郝霄鹏; 徐现刚; 张怀金; 蒋民华
	2004-12-29
专利权人	山东大学
公开日期	2004-12-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	低温低压合成氮化物晶体材料的方法，属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，反应完成后，产物洗涤，抽滤，干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料，可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具，军用特种窗口材料等。
其他摘要	低温低压合成氮化物晶体材料的方法，属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，反应完成后，产物洗涤，抽滤，干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料，可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具，军用特种窗口材料等。
主权项	氮化物晶体材料制备方法，包括如下步骤： (1)把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入至少一种氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时， (2)反应完成后，产物先用乙醇洗涤，接着用去离子水洗涤、抽滤，或用碱性或酸性溶液处理后，再进行抽滤，直到滤液呈中性为止， (3)所得到的产物在真空中加热干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料。 2.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，在步骤(1)中还加入反应物总重量10-40％的助熔剂，助熔剂选自钠、锂、钙、镁、钾之一或其组合。 3.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硼、铝、镓、铟源分别是它们的单质、氧化物、卤化物及它们的有机物之一或其混合。 4.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述氧化物选自B2O3、H3BO3、Al2O3、Al(OH)3、Ga2O3或In2O3。 5.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述卤化物包括BCl3、BBr3、AlCl3、AlBr3、GaCl3、GaBr3、InCl3或InBr3。 6.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的氮源是氮化物、迭氮化物、氨、卤化氨或有机胺类。 7.如权利要求7所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述氮化物选自Li3N、Na3N、K3N之一或其组合，迭氮化物是NaN3，卤化氨选自NH4Cl、NH4Br、NH4I之一，有机胺选自尿素、苯胺、三甲胺之一。 8.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，在反应容器中加入氮化物晶粒作籽晶。 9.如权利要求8所述的制备氮化物晶体的方法，其特征在于，所述的籽晶与制备的氮化物为同一种物质或具有相同的晶体结构。
申请日期	2004-02-10
专利号	CN1557698A
专利状态	失效
申请号	CN200410023466.X
公开（公告）号	CN1557698A
IPC 分类号	C01B21/06
专利代理人	孙君
代理机构	济南三达专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65052
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝霄鹏,徐现刚,张怀金,等. 低温低压合成氮化物晶体材料的方法. CN1557698A[P]. 2004-12-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1557698A.PDF（642KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文