Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
低温低压合成氮化物晶体材料的方法 | |
其他题名 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 |
郝霄鹏; 徐现刚; 张怀金; 蒋民华 | |
2004-12-29 | |
专利权人 | 山东大学 |
公开日期 | 2004-12-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法,属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中,加入氮源,将反应容器密封,抽真空,充入氮气,加热到200~1000℃,反应2~480小时,反应完成后,产物洗涤,抽滤,干燥,得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料,可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具,军用特种窗口材料等。 |
其他摘要 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法,属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中,加入氮源,将反应容器密封,抽真空,充入氮气,加热到200~1000℃,反应2~480小时,反应完成后,产物洗涤,抽滤,干燥,得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料,可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具,军用特种窗口材料等。 |
主权项 | 氮化物晶体材料制备方法,包括如下步骤: (1)把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中,加入至少一种氮源,将反应容器密封,抽真空,充入氮气,加热到200~1000℃,反应2~480小时, (2)反应完成后,产物先用乙醇洗涤,接着用去离子水洗涤、抽滤,或用碱性或酸性溶液处理后,再进行抽滤,直到滤液呈中性为止, (3)所得到的产物在真空中加热干燥,得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料。 2.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,在步骤(1)中还加入反应物总重量10-40%的助熔剂,助熔剂选自钠、锂、钙、镁、钾之一或其组合。 3.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的硼、铝、镓、铟源分别是它们的单质、氧化物、卤化物及它们的有机物之一或其混合。 4.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,所述氧化物选自B2O3、H3BO3、Al2O3、Al(OH)3、Ga2O3或In2O3。 5.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,所述卤化物包括BCl3、BBr3、AlCl3、AlBr3、GaCl3、GaBr3、InCl3或InBr3。 6.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的氮源是氮化物、迭氮化物、氨、卤化氨或有机胺类。 7.如权利要求7所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,所述氮化物选自Li3N、Na3N、K3N之一或其组合,迭氮化物是NaN3,卤化氨选自NH4Cl、NH4Br、NH4I之一,有机胺选自尿素、苯胺、三甲胺之一。 8.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法,其特征在于,在反应容器中加入氮化物晶粒作籽晶。 9.如权利要求8所述的制备氮化物晶体的方法,其特征在于,所述的籽晶与制备的氮化物为同一种物质或具有相同的晶体结构。 |
申请日期 | 2004-02-10 |
专利号 | CN1557698A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200410023466.X |
公开(公告)号 | CN1557698A |
IPC 分类号 | C01B21/06 |
专利代理人 | 孙君 |
代理机构 | 济南三达专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65052 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝霄鹏,徐现刚,张怀金,等. 低温低压合成氮化物晶体材料的方法. CN1557698A[P]. 2004-12-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN1557698A.PDF(642KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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