半导体发光装置及其制造方法

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	半导体发光装置及其制造方法
其他题名	半导体发光装置及其制造方法
	山口勉; 田代贺久; 森健三; 坂本博夫; 西田武弘
	2009-06-03
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2009-06-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。
其他摘要	本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。
主权项	一种半导体发光装置，将半导体激光芯片以结向下方式接合到衬底上，并将该衬底接合到封装上而形成，其特征在于，与上述半导体激光芯片的激光照射方向垂直的方向是上述衬底的宽度方向；上述衬底的厚度和宽度被设定为：使得上述半导体激光芯片与上述衬底相接合的面的中心部所受到的等效应力与上述衬底的宽度方向的应力相乘后所得的数值不会超过通过改变上述衬底的厚度和宽度所能得到的上述数值的最大值的70％。
申请日期	2008-09-23
专利号	CN101447640A
专利状态	授权
申请号	CN200810165770
公开（公告）号	CN101447640A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01L23/36
专利代理人	刘杰 \| 刘宗杰
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64983
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山口勉,田代贺久,森健三,等. 半导体发光装置及其制造方法. CN101447640A[P]. 2009-06-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101447640A.PDF（984KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文