红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺

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	红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺
其他题名	红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺
	王昱玺; 刘拓
	2016-12-07
专利权人	陜西源杰半导体技术有限公司
公开日期	2016-12-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明的红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，利用化学特性稳定的Ta2O5和SiO2实现半导体激光器抗反射膜层的镀膜，实现极佳的抗反射薄膜特性，因本发明所选镀膜材料在镀膜过程中均具有稳定的化学性能，保证了镀膜的镀率稳定以及光折射率稳定，使镀膜结果与理论设计一致，进而提升产品可靠性。
其他摘要	本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明的红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，利用化学特性稳定的Ta2O5和SiO2实现半导体激光器抗反射膜层的镀膜，实现极佳的抗反射薄膜特性，因本发明所选镀膜材料在镀膜过程中均具有稳定的化学性能，保证了镀膜的镀率稳定以及光折射率稳定，使镀膜结果与理论设计一致，进而提升产品可靠性。
主权项	红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，其特征在于，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层。
申请日期	2016-08-24
专利号	CN106207744A
专利状态	申请中
申请号	CN201610718099.8
公开（公告）号	CN106207744A
IPC 分类号	H01S5/028 \| C23C14/08 \| C23C14/10 \| C23C14/30 \| C23C28/04
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64977
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陜西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王昱玺,刘拓. 红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺. CN106207744A[P]. 2016-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106207744A.PDF（130KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文