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長波長垂直腔面發射激光器底部反射鏡
其他题名長波長垂直腔面發射激光器底部反射鏡
HO-KI KWON
2005-03-18
专利权人HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
公开日期2005-03-18
授权国家中国香港
专利类型发明申请
摘要A vertical cavity surface emitting laser having an InP substrate and a lower mirror stack comprised of a plurality of alternating layers of AlPSb and GaPSb over the InP substrate. An InP spacer is over the lower mirror stack. An active region is over the InP spacer, and a tunnel junction is over the active region. Then a top mirror structure comprised of a low-temperature formed first GaAs buffer layer, a high-temperature formed second GaAs seed layer, an insulating structure having an opening, and a GaAs/Al(Ga)As mirror stack that is grown by lateral epitaxial overgrowth.
其他摘要一种垂直腔表面发射激光器,具有InP衬底和下部镜堆叠,包括在InP衬底上的AlPSb和GaPSb的多个交替层。 InP间隔物位于下部镜子堆叠上方。有源区域位于InP间隔物上方,隧道结位于有源区域上方。然后,顶部镜子结构包括低温形成的第一GaAs缓冲层,高温形成的第二GaAs种子层,具有开口的绝缘结构,以及通过横向生长的GaAs / Al(Ga)As镜堆叠外延过度生长。
主权项A vertical cavity surface emitting laser, comprising: an InP substrate; and a lower mirror stack comprised of a plurality of alternating layers of AlPSb and GaPSb over the InP substrate.
申请日期2004-11-24
专利号HK1066331A
专利状态失效
申请号HK04109267
公开(公告)号HK1066331A
IPC 分类号H01S
专利代理人-
代理机构文彬國際商標專利事務所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64950
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
推荐引用方式
GB/T 7714
HO-KI KWON. 長波長垂直腔面發射激光器底部反射鏡. HK1066331A[P]. 2005-03-18.
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