Photo semiconductor

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	Photo semiconductor
其他题名	Photo semiconductor
	SHIGENO KAZUO
	1986-05-01
专利权人	NEC CORP
公开日期	1986-05-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain the element of a photo semiconductor of easy alignment, low coupling loss and high light deflection function, by forming the semiconductor laser element and the light deflection element on a same substrate. CONSTITUTION:On an N type InP substrate 1, a groove 2 is installed, on which N type InGaAsP guide layer 3, InGaAsP active layer 4, P type InP clad layer 5 and N type InGaAsP cap layer 6 are formed. Zn diffusion and selective proton illumination are made to form high resistance domains 9 and 9', which are separated into the high concentration P type Zn diffusion domains 7 and 8. In case of the ordinary layer emission, current is selectively injected from the Zn diffusion domain 7 by the impressed voltage between a main electrode 10 and a back side electrode 12, and the active layer 4 directly under the Zn diffusion domain operates as the radiant domain. When a positive voltage pulse is impressed to a deflection electrode 11, both carrier density distribution and refractive index distribution are changed, and the left side refractive index of the stripe of the semiconductor laser element reduces, so that the laser light is deflected to the right and the image of the distant visual field deflects to the right.
其他摘要	目的：通过在同一基板上形成半导体激光元件和光偏转元件，获得易于对准，低耦合损耗和高光偏转功能的光半导体元件。组成：在N型InP衬底1上，安装一个凹槽2，在其上形成N型InGaAsP引导层3，InGaAsP有源层4，P型InP覆盖层5和N型InGaAsP覆盖层6。进行Zn扩散和选择性质子照射以形成高电阻域9和9'，其被分成高浓度P型Zn扩散域7和8.在普通层发射的情况下，从Zn扩散中选择性地注入电流。通过主电极10和背面电极12之间的外加电压，域7，以及Zn扩散域正下方的有源层4作为辐射域。当正电压脉冲施加到偏转电极11时，载流子密度分布和折射率分布都改变，并且半导体激光器元件的条带的左侧折射率减小，使得激光偏向右侧并且远处视野的图像偏向右侧。
主权项	-
申请日期	1984-10-04
专利号	JP1986085885A
专利状态	失效
申请号	JP1984208611
公开（公告）号	JP1986085885A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64873
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIGENO KAZUO. Photo semiconductor. JP1986085885A[P]. 1986-05-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986085885A.PDF（137KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文