光電デバイスの製造方法

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	光電デバイスの製造方法
其他题名	光電デバイスの製造方法
	ジャン-ピエールイルツ; ジャン-シャルルガルシア; フィリッペモーレル
	1993-08-06
专利权人	THOMSON CSF
公开日期	1993-08-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】取りはずし可能な機械的マスクを用いた単一のエピタキシイ工程でデバイスの異なる層を主として製造できる光電デバイスの製造方法を提供する。【構成】エピタキシイ室においてエピタキシイを受けるべき基板上でマスクを位置決めする工程と、当該光電デバイスの異なる構成要素層である、第1の光学的閉じ込め層1、活性層2、第2の光学的閉じ込め層3、コンタクト層4、及びマスキング層5をマスクを介して基板上にエピタキシャル成長させる第1のエピタキシイ工程と、エキタピシイ室を開けることなくマスクを取り除く工程と、光学的及び電気的閉じ込め層6をエピタキシャル成長させる第2のエピタキシイ工程と、マスキング層5を及び光学的及び電気的閉じ込め層6の物質を取り除きコンタクト層4を露出させる工程とを備えている。主に埋め込みレーザの製造に適用される。
其他摘要	提供一种制造光电器件的方法，该光电器件能够主要使用可移除的机械掩模在单个外延工艺中制造器件的不同层。 [配置]定位在基板上的掩模的步骤要经受在外延腔外延，光电设备，第一光限制层1，活性层2，限制第二光学的不同部件层层3，接触层4，并通过掩模掩蔽层5生长在衬底上的外延的第一外延步骤，而无需打开腔室Ekitapishii去除掩模的工序，光学和电学限制层6的外延生长第二外延步骤是去除掩模层5和光学和电学限制层6的材料并暴露接触层4。它主要适用于埋地激光器的制造。
主权项	-
申请日期	1992-07-03
专利号	JP1993198898A
专利状态	失效
申请号	JP1992199019
公开（公告）号	JP1993198898A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01L21/203 \| H01L21/02 \| H01S5/22 \| H01S5/227 \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| C03B23/08 \| H01S3/18
专利代理人	山本恵一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64862
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THOMSON CSF
推荐引用方式 GB/T 7714	ジャン-ピエールイルツ,ジャン-シャルルガルシア,フィリッペモーレル. 光電デバイスの製造方法. JP1993198898A[P]. 1993-08-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993198898A.PDF（40KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文