Green photosemiconductor laser

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	Green photosemiconductor laser
其他题名	Green photosemiconductor laser
	SUZUKI TOORU
	1985-09-07
专利权人	NIPPON DENKI KK
公开日期	1985-09-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain the titled device of low oscillation threshold value by using a material where the substrate crystal is GaAs, ZnSe, or Ge; one clad layer is made of ZnSe of the first conductivity type, while the other clad layer is made of ZnSe of the second conductivity type or Cu (AlyGa1-y)Se2. CONSTITUTION:An active layer 14 is made of Cu(AlxGa1-x)Se2, being regarless of conductivity type. A carrier confinement and photo confinement layer (clad layer) 15 made of P type Cu(AlyGa1-y)Se2, where (x) and (y) satisfy a relation of 0
其他摘要	目的：采用基板晶体为GaAs，ZnSe或Ge的材料，获得低振荡阈值的标题器件;一个包覆层由第一导电类型的ZnSe制成，而另一个包覆层由第二导电类型的ZnSe或Cu（AlyGa1-y）Se2制成。组成：有源层14由Cu（AlxGa1-x）Se2制成，无导电类型。在有源层上提供由P型Cu（AlyGa1-y）Se2制成的载流子限制和光限制层（包层）15，其中（x）和（y）满足关系0
主权项	-
申请日期	1984-02-20
专利号	JP1985173893A
专利状态	失效
申请号	JP1984029731
公开（公告）号	JP1985173893A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/32 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64844
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	SUZUKI TOORU. Green photosemiconductor laser. JP1985173893A[P]. 1985-09-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1985173893A.PDF（138KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文