多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器

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	多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器
其他题名	多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器
	森本卓夫
	1999-05-28
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1999-05-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 MQW構造の量子効果を保持しつつ、MQW内でのホールキャリア輸送をバルクライクとする。【解決手段】 n型InP基板4上にn-InGaAsPガイド層6、歪MQW層8、グレーデッド引っ張り歪InGaAsP SCH層12、p-InPクラッド層14がある半導体光変調器で、圧縮歪InGaAsPウェル層9と引っ張り歪InGaAsPバリア層10を同じ組成のInGaAsPからIII 族組成を逆に変化させて、5%の圧縮歪と引っ張り歪とする。このようにして、ウェル層のヘビーホール準位とバリア層のライトホール準位を等しい高さにおくことにより、歪MQW層8内のホールキャリアの輸送をバルクライクとする。
其他摘要	要解决的问题：将MQW（多量子阱）结构中的空穴载流子传输为块状，同时保持MQW结构的量子效应。解决方案：在半导体光调制器中，在n型上依次形成n型InGaAsP引导层6，应变MQW层8，渐变拉伸应变InGaAsP SCH层12和p-InP包层14在InP衬底4中，通过使其III族组分从相同的InGaAsP组合物反向变化，将压缩应变InGaAsP阱层9和拉伸应变InGaAsP势垒层10的压缩应变和拉伸应变调节至5％。当以这种方式将阱层9的重空穴水平和阻挡层10的光孔水平调节到相同的高度时，应变MQW层8中的空穴载流子的转移被设定为块状。
主权项	-
申请日期	1997-11-06
专利号	JP1999145549A
专利状态	失效
申请号	JP1997304590
公开（公告）号	JP1999145549A
IPC 分类号	H01S5/343 \| G11B27/032 \| H01S5/00 \| G11B27/02 \| H01S3/18
专利代理人	山下穣平
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64813
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	森本卓夫. 多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器. JP1999145549A[P]. 1999-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999145549A.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文