Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物系半導体素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| 別所 靖之; 竹内 邦生; 久納 康光 | |
| 2009-06-04 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2009-06-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体素子層の厚みの差に起因して半導体素子層にクラックが発生するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体素子100(窒化物系半導体素子)は、共振器の延びる方向に延びるリッジ部(光導波路)24を有する窒化物系半導体からなる半導体素子層20を含む半導体素子部30と、半導体素子層20のリッジ部(光導波路)24近傍を除く領域と対向する領域にリッジ部(光導波路)24の延びる方向に沿って段差部10aが形成され、半導体素子部30に接合されるp型Ge基板10とを備える。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种氮化物基半导体元件，其能够抑制由于半导体元件层的厚度不同而导致的半导体元件层中的破裂，并提供一种制造方法。 ŽSOLUTION：氮化物基半导体元件100（氮化物基半导体元件）包括半导体元件部分30，该半导体元件部分30包括半导体元件层20，该半导体元件层20设置有沿谐振器的延伸方向延伸的脊部（光波导）24并制成氮化物基半导体;和p型Ge基板10，其中台阶部分10a沿着脊部分（光波导）24的延伸方向在与区域相对的区域中形成，不包括脊部分（光波导）24的附近。半导体元件层20和半导体元件部分30连接 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2007-11-15 |
| 专利号 | JP2009123939A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007296555 |
| 公开（公告）号 | JP2009123939A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 宮園 博一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64804 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之,竹内 邦生,久納 康光. 窒化物系半導体素子およびその製造方法. JP2009123939A[P]. 2009-06-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009123939A.PDF（240KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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