Manufacture of distribution feedback type semiconductor laser

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	Manufacture of distribution feedback type semiconductor laser
其他题名	Manufacture of distribution feedback type semiconductor laser
	MIKAMI OSAMU; NAKAGOME HIROSHI; SAITOU TADASHI
	1983-11-17
专利权人	NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA
公开日期	1983-11-17
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a distribution feedback type laser with oscillating wave length at designed value subject to favorable yield by a method wherein, after GaInAsP active layer and a guide layer is preliminarily grown, a cyclic structure as a double hetero structure is formed on GaInAsP layer. CONSTITUTION:An N type InP layer 12, no additive layer 13, P type GaInAsP guide layer 14 are liquid epitaxially grown on (001) surface of N type Inp substrate 1 A resist film is interference exposed by means of He-Cd layer and developed to form a mask further etching a layer 14 to form a cyclic structure 15 (period 4,700Angstrom ) with stripes in parallel with the direction of (-110). Next N type InP layer 16 and P type GaInAsP layer 17 are laminated and a current narrowing structure is introduced to complete a distribution feedback type laser. In such a constitution, the cyclic structure provided on GaInAsP layer 14 with less P component resistant to dissociation of P i.e. thermal deteroration will not be destroyed even if the layer 16 is grown at 590-520 deg.C favorably controlling oscillating wave length to obtain the oscillating wave length at designed value.
其他摘要	目的：通过一种方法，在GaInAsP有源层和引导层预先生长之后，在GaInAsP层上形成作为双异质结构的环状结构，以获得具有设计值的振荡波长的分布反馈型激光器，其具有良好的成品率。。组成：N型InP层12，没有添加剂层13，P型GaInAsP引导层14液体外延生长在N型Inp基板11的（001）表面上。抗蚀剂膜通过He-Cd层干涉曝光和开发以形成掩模，进一步蚀刻层14以形成具有与（-110）方向平行的条纹的环状结构15（周期4,700埃）。接下来层叠N型InP层16和P型GaInAsP层17，并引入电流窄化结构以完成分布反馈型激光器。在这种结构中，即使层16在590-520℃生长，有利地控制振荡波长以获得振荡波长，也不会破坏GaInAsP层14上提供的具有较少P组分的抗循环结构的环状结构，即热阻止。振荡波长在设计值。
主权项	-
申请日期	1982-05-13
专利号	JP1983197788A
专利状态	失效
申请号	JP1982080617
公开（公告）号	JP1983197788A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64738
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA
推荐引用方式 GB/T 7714	MIKAMI OSAMU,NAKAGOME HIROSHI,SAITOU TADASHI. Manufacture of distribution feedback type semiconductor laser. JP1983197788A[P]. 1983-11-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983197788A.PDF（158KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文