Photo laser transistor

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	Photo laser transistor
其他题名	Photo laser transistor
	HARUTOMUUTO BURUKUHARUTO; KURAUSUDEIITAA MIYUURUBAUERU
	1989-04-26
专利权人	SIEMENS AG
公开日期	1989-04-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE: To simplify the photolaser transistor(TR) by constituting base-emitter p-n junction as a laser diode, controlling the laser diode up to near its threshold and leading a current necessary for overing the threshold from a photoelectric current amplified by base-collector p-n junction. CONSTITUTION: An n type GaAs layer is formed on an n type GaAs base board 1 as a collector 2, a p type GaAlAs allowed to epitaxially grow on the collector 2 as a base 3 forms a boundary layer for a laser active base area 4 consisting of p type GaAs. An n type GaAlAs layer allowed to epitaxially grow on the base area 4 as an emitter 5 forms a boundary layer for the base area 4 and a boundary layer for a carrier of the base 3. A collector contact 7 is formed on the base board 1, a base contact 8 is formed on the base 3 and an emitter contact 9 is formed on the emitter 5. A back etching groove 10 is formed on the board 1 and allowed to reach up to near the pn junction parts 3, 2. Consequently an optical repeater function can be executed by a single semiconductor device.
其他摘要	目的：通过构成基极 - 发射极pn结作为激光二极管来简化光激光晶体管（TR），将激光二极管控制在接近其阈值，并从由基极 - 集电极pn放大的光电电流引出超过阈值所需的电流。结。组成：在n +型GaAs基板1上形成n - 型GaAs层作为集电极2，p型GaAlAs允许在集电极2上外延生长，因为基底3形成激光的边界层有源基区4由p +型GaAs组成。当发射极5形成基极区4的边界层和基极3的载流子的边界层时，允许n +型GaAlAs层在基极区4上外延生长。集电极接触7形成在基极区4上。在基板3上，在基极3上形成基极触点8，在发射极5上形成发射极接触9.在基板1上形成背面蚀刻槽10，使其到达pn接合部3附近，因此，光学转发器功能可以由单个半导体器件执行。
主权项	-
申请日期	1988-09-26
专利号	JP1989108791A
专利状态	失效
申请号	JP1988240618
公开（公告）号	JP1989108791A
IPC 分类号	H01L31/14 \| H01L27/14 \| H01L31/11 \| H01L31/12 \| H01L31/153 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/042 \| H01S5/062 \| H04B10/291 \| H04B10/43 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64571
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SIEMENS AG
推荐引用方式 GB/T 7714	HARUTOMUUTO BURUKUHARUTO,KURAUSUDEIITAA MIYUURUBAUERU. Photo laser transistor. JP1989108791A[P]. 1989-04-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989108791A.PDF（112KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文