Variable-wavelength semiconductor laser

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	Variable-wavelength semiconductor laser
其他题名	Variable-wavelength semiconductor laser
	SEKIGUCHI YOSHINOBU
	1992-03-23
专利权人	キヤノン株式会社
公开日期	1992-03-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable an optical semiconductor waveguide to change in refractive index without increasing it in absorption loss and to enable a semiconductor laser to oscillate laser rays variable in wavelength by a method wherein a semiconductor optical waveguide which contains a specific quantum well of two or more layers and a barrier layer prescribed in thickness is provided, and an impressed voltage is controlled. CONSTITUTION:An N-AlGaAs clad layer 2, a supper lattice waveguide layer 3 composed of alternately laminated N-GaAs well layers 31 and high resistive AlGaAs layers 32, and a GaAs active layer 4 are made to grow on an N-GaAs substrate 1 through an adequate method, and a secondary diffraction grating 5 is provided on the surface of the outer waveguide layer. At this point, when a negative bias is applied to an electrode 11, the waveguide layer 3 decreases in refractive index. Therefore, the diffraction grating 5 is lessened in Bragg wavelength, and oscillation wavelength becomes shorter. At this point, a voltage applied to a phase control region 21 and a DRB region 22 is controlled to quasi- continuously change oscillation laser rays in wavelength.
其他摘要	目的：使光学半导体波导在不增加吸收损耗的情况下改变折射率，并使半导体激光器能够通过一种方法振荡波长可变的激光线，其中半导体光波导包含两个或多个特定的量子阱提供厚度规定的层和阻挡层，并控制外加电压。组成：N-AlGaAs包层2，由交替层叠的N-GaAs阱层31和高阻AlGaAs层32组成的超晶格波导层3和GaAs有源层4在N-GaAs衬底1上生长通过适当的方法，在外部波导层的表面上设置二次衍射光栅5。此时，当向电极11施加负偏压时，波导层3的折射率降低。因此，衍射光栅5的布拉格波长减小，振荡波长变短。此时，控制施加到相位控制区域21和DRB区域22的电压以准连续地改变波长的振荡激光线。
主权项	-
申请日期	1990-08-01
专利号	JP1992088687A
专利状态	失效
申请号	JP1990204157
公开（公告）号	JP1992088687A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/0625 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64541
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	キヤノン株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	SEKIGUCHI YOSHINOBU. Variable-wavelength semiconductor laser. JP1992088687A[P]. 1992-03-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992088687A.PDF（197KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文