Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光結合回路及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体光結合回路及びその製造方法 |
| 吉本 直人; 川口 悦弘; 奥 哲; 東盛 裕一; 近藤 進; 野口 悦男; 赤淵 忠之 | |
| 1999-03-30 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 大きなサイドエッチングによる光結合面の窪み或いは突起状の形状による光学的、形状的な問題を解決するにある。 【解決手段】 InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶54から構成され、少なくとも一つのコア層58を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在具有不同的层叠方向的折射率分布的多个光波导之一中结合特定的混合晶体，在湿法蚀刻中用作蚀刻停止层。解决方案：通过MOVPE方法在InP衬底51上外延生长包含InGaAlAs 53，InGaAsP有源层54和p型InP覆盖层55的n型InP覆层52。然后，在层55上气相沉积SiO2膜56之后，用膜56作为蚀刻掩模，通过蚀刻除去层55,54和52。引导的n型InP层57，作为芯层的InGaAsP引导层58和i型InP层59生长在被去除的部分上。并且，具有层58的一个波导包含Inx Gay Alz As1-y-z（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1,0 <= z <= 1）混合晶体。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-11-25 |
| 专利号 | JP1999087844A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997322666 |
| 公开（公告）号 | JP1999087844A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64512 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉本 直人,川口 悦弘,奥 哲,等. 半導体光結合回路及びその製造方法. JP1999087844A[P]. 1999-03-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999087844A.PDF（73KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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