Photoelectron integrated circuit

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	Photoelectron integrated circuit
其他题名	Photoelectron integrated circuit
	ONAKA SEIJI; TSUJII HIRAAKI; SASAI YOICHI; SHIBATA ATSUSHI
	1988-05-24
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1988-05-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make it possible to form the cathode electrode of a laser on the surface of an element, and make high-speed operation of the element possible, by forming a first clad layer and an active layer on a semi-insulating substrate, forming a second clad layer and a collector layer on the active layer, and burying insulator between the second clad layer and the collector layer. CONSTITUTION:On a semi-insulating substrate 1, a first clad layer 2 of one conductivity type and an active layer 3 are formed, and on the active layer 3, a second clad layer 4 of inverse conductivity type and a collector layer 7 of one conductivity type are formed. The second clad layer 4 is in the form of a stripe and injects a current into the active layer 3. Insulator 15 is buried between the second clad layer 4 and the collector layer 7. For example, on a semi-insulating InP substrate 1, the following are formed: an N-type InP first clad layer 2, an InGaAsP active layer 3, a P-type InP second clad layer 4, and a P-type InGaAsP cap layer 5. After selective etching, the following are formed: an N-type collector layer 7, a P-type InGaAsP base layer 8, an N-type InP emitter layer 9, and an N-type InGaAsP emitter contact layer 10. Then, polyimide buried regions 13 and 15 are formed.
其他摘要	目的：通过在半绝缘基板上形成第一包层和有源层，使得可以在元件表面上形成激光的阴极，并使元件的高速操作成为可能，形成在有源层上形成第二覆层和集电极层，并在第二覆层和集电极层之间掩埋绝缘体。组成：在半绝缘基板1上，形成一种导电类型的第一覆层2和一个有源层3，并在有源层3上形成反向导电类型的第二覆层4和一个集电极层7形成导电类型。第二包层4呈条纹状，并向有源层3注入电流。绝缘体15埋在第二包层4和集电极层7之间。例如，在半绝缘InP衬底1上，形成以下：N型InP第一包层2，InGaAsP有源层3，P型InP第二包层4和P型InGaAsP盖层5.选择性蚀刻后，形成如下： N型集电极层7，P型InGaAsP基极层8，N型InP发射极层9和N型InGaAsP发射极接触层10.然后，形成聚酰亚胺掩埋区13和15。
主权项	-
申请日期	1986-11-10
专利号	JP1988120487A
专利状态	失效
申请号	JP1986266933
公开（公告）号	JP1988120487A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01L21/331 \| H01L29/72 \| H01L29/73 \| H01L29/737 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64509
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ONAKA SEIJI,TSUJII HIRAAKI,SASAI YOICHI,et al. Photoelectron integrated circuit. JP1988120487A[P]. 1988-05-24.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988120487A.PDF（218KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文