リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法

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	リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法
其他题名	リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法
	▲ユァン▼ 榮亨; 陳秋伶; 王明程
	2000-01-21
专利权人	IND TECHNOL RES INST
公开日期	2000-01-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】歩留まりとデバイスの安定性とを向上させたリッジ導波管半導体レーザーを製造するための自己整合法を提供すること。【解決手段】下側フォトレジストODUR1013と、上側フォトレジストAZ5214Eとの2つのフォトレジスト層を用いる。下側層は波長300nm未満の光によってのみ現像可能であり、上側層は波長が300nmより大きい光によってのみ現像可能である。リッジ構造の頂部に開口部を形成する工程で、上側層を現像すると共に下側層を露出すべくG線マスク位置合わせ装置を用いる。更にRIEプロセスを行い、下側層と開口部内の絶縁体とを除去する。RIEプロセスでリッジ構造の側壁を保護するために上側層の残存部分を使用する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种自对准方法，用于制造脊形波导半导体激光器，同时提高产量并增强器件的稳定性。解决方案：采用ODURI 1013的两个光致抗蚀剂层作为下部光致抗蚀剂420，使用AZ 5214E作为上部光致抗蚀剂。下层可以仅用波长小于300nm的光显影，上层下层只能用波长大于300nm的光显影。在脊结构顶部开口的步骤中，采用G线掩模对准器以形成上层并暴露下层。此外，使用RIE工艺从下层和开口移除绝缘体。上层的残余部分用于保护RIE工艺的侧壁。
主权项	-
申请日期	1998-11-27
专利号	JP2000022261A
专利状态	失效
申请号	JP1998337815
公开（公告）号	JP2000022261A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/042
专利代理人	曾我道照 (外6名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64503
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	IND TECHNOL RES INST
推荐引用方式 GB/T 7714	▲ユァン▼ 榮亨,陳秋伶,王明程. リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法. JP2000022261A[P]. 2000-01-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000022261A.PDF（116KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文