Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体超格子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体超格子の製造方法 |
| 中井 建弥 | |
| 1993-03-12 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 Si基板上にGe層とSi層またはGe·Si層とSi層との半導体超格子の製造方法に関し、結晶品質が良く、且つ成長速度の速いヘテロエピタキシャル成長法を実用化することを目的とする。 【構成】 GeH4と酸化性不純物ガスの含有量が100ppb以下の雰囲気の下で、トリシラン(Si3H8) とを原料ガスとし、H2または不活性ガスをキャリアとし、減圧CVD法によりSi基板上にGe層とSi層、またはGe·Si層とSi層とをエピタキシャル成長させることを特徴として半導体超格子の製造方法を構成する。 |
| 其他摘要 | 用途：在Si衬底上形成Ge层和Si层或Ge-Si层和Si层，并且还可以采用异质外延生长方法，其中可以获得优异的晶体质量和高生长速度，投入实际使用。组成：标题半导体超晶格制造方法是通过在含有氧化杂质气体的气氛下进行凹陷CVD方法，在Si衬底上外延生长Ge层和Si层或Ge-Si层和Si层的方法。使用GeH4和丙硅烷（Si3H8）作为原料气体并且还使用H 2或惰性气体作为载气，使用1000ppb或更低。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-09-04 |
| 专利号 | JP1993062911A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991223234 |
| 公开（公告）号 | JP1993062911A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井桁 貞一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64463 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中井 建弥. 半導体超格子の製造方法. JP1993062911A[P]. 1993-03-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993062911A.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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