Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Manufacture of multiwavelength laser | |
| 其他题名 | Manufacture of multiwavelength laser |
| YAMADA TAKESHI; SUGIURA HIDEO; IGA RYUZO | |
| 1992-09-18 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1992-09-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To easily form a multiwavelength laser, in which the desired wavelengths are arranged in the desired order, using an organic metal molecular beam epitaxial method. CONSTITUTION:When an active layer, consisting of a III-V semiconductor thin film, is formed on a single substrate while a laser beam is being projected on a part of the substrate in the case where a laser structure is grown using an organic metal molecular beam epitaxial method, the active layer is grown by changing the scanning speed of laser beam scanned on a plurality of lines, or by changing the intensity of the laser beam, and a multiwavelength laser is formed. |
| 其他摘要 | 目的：使用有机金属分子束外延方法，轻松形成多波长激光，其中所需波长按所需顺序排列。组成：在一个基板上形成一个由III-V半导体薄膜组成的有源层，而在使用有机金属分子生长激光器结构的情况下，激光束投射在基板的一部分上在光束外延法中，通过改变在多条线上扫描的激光束的扫描速度，或通过改变激光束的强度来生长有源层，并形成多波长激光器。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-02-18 |
| 专利号 | JP1992263418A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991077344 |
| 公开（公告）号 | JP1992263418A |
| IPC 分类号 | H01L21/203 | H01L21/205 | H01L21/268 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64457 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMADA TAKESHI,SUGIURA HIDEO,IGA RYUZO. Manufacture of multiwavelength laser. JP1992263418A[P]. 1992-09-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992263418A.PDF（111KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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