Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 超短光パルス発生装置 | |
| 其他题名 | 超短光パルス発生装置 |
| 福嶋 丈浩 | |
| 1993-06-25 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、超短光パルス発生装置に関し、半導体レーザを用いた超小型の超短光パルス発生装置を提供することを目的とする。 【構成】n-GaAs基板1上に分布帰還型半導体レーザ2が形成されている。n-GaAs基板1上であって、分布帰還型半導体レーザ2の発光面に隣接して、いわゆる半導体レーザアンプと同様の光増幅機能を有するダブルへテロ構造の光導波部4が形成されている。レーザ光が入射し透過する光導波部4の両端面には高反射コーティング6が形成されているように構成する。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种超短光脉冲发生装置和一种使用半导体激光器的超小超短光脉冲发生装置。 分布反馈半导体激光器2形成在n-GaAs衬底1上。具有与所谓的半导体激光放大器类似的光放大功能的双异质结构的光波导部分4形成在n-GaAs衬底1上并且与分布式反馈半导体激光器2的发光表面相邻。高反射涂层6形成在光波导部分4的两个端面上，激光通过该两个端面入射和透射。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-12-06 |
| 专利号 | JP1993160519A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991323377 |
| 公开（公告）号 | JP1993160519A |
| IPC 分类号 | H01L27/15 | H01S3/08 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S3/085 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 北野 好人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64408 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福嶋 丈浩. 超短光パルス発生装置. JP1993160519A[P]. 1993-06-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993160519A.PDF（36KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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