Light-beam scanning type semiconductor laser

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	Light-beam scanning type semiconductor laser
其他题名	Light-beam scanning type semiconductor laser
	OSHIMA HIROYUKI; IWANO HIDEAKI
	1986-11-27
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1986-11-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To remove leakage currents among injection electrodes by insulating and isolating a plurality of the injection electrodes. CONSTITUTION:An N-type clad layer 102, an active layer 103 and a P-type clad layer 104 are laminated on a semiconductor substrate 101, such as a GaAs substrate, an InP substrate or the like, thus constituting double-hetero structure. An N-type region 105 is formed adjacent to the layer 104, thus organizing a P-N junction. An N-type buffer layer 106 and an insulating film 107 are shaped onto the P-N junction, and P-type regions 109 as contact sections with a plurality of injection electrodes 108 are formed. Consequently, the electrodes 108 are insulated and isolated by the P-N junction shaped by the P-type clad layer 104 and the N-type region 105. Accordingly, leakage currents flowing between the injection electrodes are removed completely.
其他摘要	用途：通过绝缘和隔离多个注入电极来去除注入电极之间的漏电流。组成：N型覆层102，有源层103和P型覆层104层叠在半导体衬底101，如GaAs衬底，InP衬底等，从而构成双异质结构。在层104附近形成N型区105，从而组织P-N结。在P-N结上成形N型缓冲层106和绝缘膜107，并形成作为与多个注入电极108的接触部分的P型区域109。因此，电极108通过由P型覆层104和N型区105形成的P-N结绝缘和隔离。因此，完全去除在注入电极之间流动的漏电流。
主权项	-
申请日期	1985-05-23
专利号	JP1986268087A
专利状态	失效
申请号	JP1985110669
公开（公告）号	JP1986268087A
IPC 分类号	H01S5/00 \| B41J2/44 \| G03G15/04 \| H01S5/042 \| H01S5/062 \| H01S3/096
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64382
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	OSHIMA HIROYUKI,IWANO HIDEAKI. Light-beam scanning type semiconductor laser. JP1986268087A[P]. 1986-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986268087A.PDF（203KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文