II-VI族化合物半導体発光素子の製造方法

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	II-VI族化合物半導体発光素子の製造方法
其他题名	II-VI族化合物半導体発光素子の製造方法
	日野智公; 小沢正文
	1996-01-12
专利权人	SONY CORP
公开日期	1996-01-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】エピタキシャル成長工程後に加熱処理を伴う製造方法を採る場合において、安定して発光特性にすぐれたすなわち低しきい値電流Ithを有し、長寿命化をはかることのできるようにする。【構成】クラッド層1および2の格子定数をac とし、活性層3の格子定数をaとするとき、ε1 =\|ac -a\|/ac で与えられる上記活性層にかかる歪みε1 を、0≦ε1 <5〔%〕とするか、III-V族化合物半導体とII-VI族化合物半導体との界面に生じる電圧降下Viを、0≦Vi≦2〔V〕とするかの少なくとも一方の構成として、III-V族基板20上に、少なくともそれぞれII-VI族化合物半導体による第1のクラッド層1と、活性層3と、第2のクラッド層2とをエピタキシーする工程と、基板20上へのII-VI族化合物半導体層のエピタキシー後に200℃〜450℃の加熱を行う加熱工程とを経て目的とするII-VI族化合物半導体発光素子を得る。
其他摘要	目的在采用外延生长步骤之后涉及的热处理的制造方法的情况下，具有稳定的即具有优异的发光特性低的阈值电流I 个，能够延长寿命能够做到。 [配置]包覆层1和2和一个 C 的晶格常数，当活性层3的晶格常数，a，ε 1 = \|一个 ç -a \| / A C 菌株根据由 1 给出的有源层，0≦ε 1 <小量或5 [％]，电压降六在III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体之间的界面处产生，作为所述至少一个部件中的一个和0≦六≦2 [V]，III上II- -V组基板20，首先通过至少相应的II-VI族化合物半导体敷层1，活性层3，外延的步骤和第二包层2，在基板20 VI组化合物半导体层在外延后和在200℃至450℃下加热的加热步骤，从而获得靶II-VI化合物半导体发光元件。
主权项	-
申请日期	1994-06-22
专利号	JP1996008492A
专利状态	失效
申请号	JP1994140510
公开（公告）号	JP1996008492A
IPC 分类号	H01L33/28 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	松隈秀盛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64330
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	日野智公,小沢正文. II-VI族化合物半導体発光素子の製造方法. JP1996008492A[P]. 1996-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996008492A.PDF（37KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文