Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体の成長方法 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の成長方法 |
| 野口 裕泰; 奥山 浩之 | |
| 1997-06-06 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 低結晶欠陥密度で良質のII-VI族化合物半導体を低コストで成長させる。 【解決手段】 分子線エピタキシー法によりII-VI族化合物半導体をIII-V族化合物半導体基板11上に成長させる際に、基板温度300〜550℃においてIII-V族化合物半導体基板11の表面に原子状または活性水素を照射することにより、または、大気圧ないし33Paの圧力の水素ガス雰囲気中において基板温度を580℃以下に保つことにより表面の酸化膜12を除去した後、速やかにその表面にII-VI族化合物半導体層13を成長させる。基板としてII-VI族化合物半導体基板を用いる場合には、基板温度450℃以下においてII-VI族化合物半導体基板の表面に原子状または活性水素を照射することにより酸化膜12を除去する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：以低成本增长一个好的II-VI compd。具有低晶体缺陷密度的半导体。解决方案：培养II-VI compd。在III-V compd上的半导体。通过分子束外延方法将半导体衬底11，原子或活性H施加到在300-550℃加热的衬底11的表面上，以去除保持在580℃以下的衬底表面上的氧化膜12。 33Pa的气体气氛，然后是II-VI compd。半导体层13在表面上快速生长。如果是II-VI compd。使用半导体衬底，将原子或活性H施加到该衬底的表面以去除氧化膜12。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1995-11-21 |
| 专利号 | JP1997148342A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995326440 |
| 公开（公告）号 | JP1997148342A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | H01L21/203 | H01L33/12 | H01L33/30 | H05H1/46 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64313 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 裕泰,奥山 浩之. II-VI族化合物半導体の成長方法. JP1997148342A[P]. 1997-06-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997148342A.PDF（96KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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