Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN系素子 | |
| 其他题名 | GaN系素子 |
| 小池 正好; 永井 誠二; 赤崎 勇; 天野 浩 | |
| 1998-06-26 | |
| 专利权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 超格子構造の量子井戸層とバリア層との界面における組成の急峻性が確保されたGaN系素子を提供する。 【解決手段】 量子井戸層とバリア層とをMOVPE法によって形成し、その上の半導体層、発光素子ではp型の層、をMBE法で形成する。MBE法によれば、量子井戸層及びバリア層をMOVPE法で成長させるときの温度よりも低い温度で半導体層を成長させられる。量子井戸層及びバリア層の上に形成される半導体層の成長温度を量子井戸層及びバリア層の成長温度より低くすれば、かかる温度履歴を量子井戸層とバリア層とが受けたとしても、両者の界面における組成の相違の急峻性は維持される。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供基于GaN的器件，其中确保超晶格结构的量子阱层与阻挡层之间的界面处的组合物的突然性。 解决方案：通过MOVPE形成量子阱层和阻挡层，并在其上形成半导体层，并且通过MBE形成发光元件中的p型层。根据MBE方法，半导体层可以在低于通过MOVPE方法生长量子阱层和阻挡层的温度的温度下生长。如果使量子阱层和阻挡层上形成的半导体层的生长温度低于量子阱层和阻挡层的生长温度，则即使量子阱层和阻挡层接收这样的温度历史，界面处的组成差异的陡峭程度得以保持。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-12-06 |
| 专利号 | JP1998173227A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996342436 |
| 公开（公告）号 | JP1998173227A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/42 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小西 富雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64253 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,永井 誠二,赤崎 勇,等. GaN系素子. JP1998173227A[P]. 1998-06-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998173227A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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