Visible light emitting semiconductor laser device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Visible light emitting semiconductor laser device
其他题名	Visible light emitting semiconductor laser device
	KUKIMOTO HIROSHI
	1989-07-12
专利权人	INKIYUUBEETAA JAPAN:KK
公开日期	1989-07-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To assure the title semiconductor laser device which emits green laser light by using a group II-VI semiconductor crystal laser as a cladding layer, and further using InxGayAlzP as an active layer forming material. CONSTITUTION:A first conductivity type group II-VI semiconductor crystal layer 2 is grown in vapor phase as a cladding layer on a semiconductor sub strate crystal 1, on which a first conductivity type or second conductivity type InxGayAlzP (here, x+y+z=1) semiconductor crystal layer 3 is grown in vapor phase as an active layer, on which a second conductivity type group II-VI semi conductor, crystal layer 4 is further grown in vapor phase as a cladding layer. For example, an n-type ZnSxSe1-x crystal layer 2 is grown in vapor phase on an n type GaAs semiconductor substrate crystal 1 as a first cladding layer, on which an n-type or p-type InxGayAlzP crystal layer 3 is grown in vapor phase as an active layer, on which a p-type ZnSxSe1-x crystal layer 4 is further grown in vapor phase as a second cladding layer.
其他摘要	目的：通过使用II-VI族半导体晶体激光器作为包层，确保发射绿色激光的标题半导体激光器件，并进一步使用InxGayAlzP作为有源层形成材料。组成：第一导电类型组II-VI半导体晶体层2在气相中生长作为半导体衬底晶体1上的包层，其上具有第一导电类型或第二导电类型InxGayAlzP（此处，x + y + z = 1）半导体晶体层3在气相中作为有源层生长，在其上进一步生长第二导电类型II-VI族半导体晶体层4作为包层。例如，在作为第一包层的n型GaAs半导体衬底晶体1上以气相生长n型ZnSxSe1-x晶体层2，在其上生长n型或p型InxGayAlzP晶体层3。作为有源层的气相，在其上进一步生长p型ZnSxSe1-x晶体层4作为第二包层。
主权项	-
申请日期	1987-12-29
专利号	JP1989175789A
专利状态	失效
申请号	JP1987335868
公开（公告）号	JP1989175789A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64232
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	INKIYUUBEETAA JAPAN:KK
推荐引用方式 GB/T 7714	KUKIMOTO HIROSHI. Visible light emitting semiconductor laser device. JP1989175789A[P]. 1989-07-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989175789A.PDF（161KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文