半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム

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	半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
其他题名	半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
	右田雅人; 百瀬正之; 中塚慎一
	1998-01-27
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1998-01-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】波長400から700nmの波長域の実用レベルの性能を有するII-VI族半導体レーザの提供を可能にすること。【解決手段】レ-ザ材料と同じII-VI族化合物半導体であるp型ZnTeを基板に用い、クラッド層の組成をZnMgSeTeとすることでレ-ザ共振器を構成する半導体積層構造を基板との格子整合条件を満たした条件で形成する。【効果】 ZnMgSeTeのクラッド層組成を調整することで所望の発光組成を有する活性層を基板と格子整合させて形成できるため、活性層内で発生する積層欠陥や転位などの欠陥の発生を抑制でき、素子の温度特性も顕著に改善できる。
其他摘要	要解决的问题是提供具有在400至700nm波长范围内的实际水平性能的II-VI族半导体激光器。构成激光谐振器的半导体多层结构通过使用p型ZnTe形成，该p型ZnTe是与作为基板的激光材料相同的II-VI族化合物半导体和作为ZnMgSeTe的包层的组成，在满足图1的晶格匹配条件的条件下，通过调节ZnMgSeTe的包层的组成，可以形成具有与基板晶格匹配的所需发光组分的有源层，从而可以抑制在有源层中产生的诸如堆垛层错和位错的缺陷的发生。，可以显着提高装置的温度特性。
主权项	-
申请日期	1996-07-11
专利号	JP1998027946A
专利状态	失效
申请号	JP1996181856
公开（公告）号	JP1998027946A
IPC 分类号	B81B1/00 \| H04B10/02 \| H01S5/00 \| H04B10/28 \| H04B10/40 \| H04B10/2581 \| H04B10/278 \| H04B10/50 \| H04B10/60 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64212
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	右田雅人,百瀬正之,中塚慎一. 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム. JP1998027946A[P]. 1998-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998027946A.PDF（65KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文