Manufacture of algainp semiconductor laser

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	Manufacture of algainp semiconductor laser
其他题名	Manufacture of algainp semiconductor laser
	IKEDA MASAO
	1986-07-05
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1986-07-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a stable semiconductor laser with good characteristics by a method wherein, before an irregular processing is performed, the luminescent mechanism part is formed of an organic metal of an AlGaInP semiconductor or by the metal vapor-phase growth method. CONSTITUTION:A buffer layer 22, a first clad layer 23, an active layer 24 and a second clad layer 25 are made to grow in order on the main surface of an n-type GaAs single crystal substrate 21, and further successively, a protective semiconductor layer 26 for the second clad layer 25 is made to grow on the second clad layer 25 and a current constricting layer 27 is made to grow there on. The buffer layer 22, the first clad layer 23 and the current constricting layer 27 have the same n-type conductive type as that of the substrate 21, and the second clad layer 25 and the protective semiconductor layer 26 for the second clad layer 25 have the p-type conductive type inverse to the n-type conductive of the substrate 2 An electrode 29 on one side is ohmically formed by adhesion on a cap layer 28 and an electrode 30 on the other side is ohmically formed by adhesion on the back surface of the substrate 2
其他摘要	目的：通过一种方法获得具有良好特性的稳定半导体激光器，其中，在进行不规则处理之前，发光机构部分由AlGaInP半导体的有机金属或通过金属气相生长方法形成。组成：缓冲层22，第一覆层23，有源层24和第二覆层25在n型GaAs单晶衬底21的主表面上依次生长，并进一步依次保护使第二包层25的半导体层26在第二包层25上生长，并使电流限制层27在其上生长。缓冲层22，第一包层23和电流限制层27具有与基板21相同的n型导电类型，第二包层25和用于第二包层25的保护半导体层26具有与基板21的n型导电相反的p型导电类型。一侧上的电极29通过粘附在盖层28上而形成欧姆，而另一侧上的电极30通过背面上的粘附而欧姆形成。基板21的表面。
主权项	-
申请日期	1984-12-21
专利号	JP1986147592A
专利状态	失效
申请号	JP1984270039
公开（公告）号	JP1986147592A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64211
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	IKEDA MASAO. Manufacture of algainp semiconductor laser. JP1986147592A[P]. 1986-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986147592A.PDF（340KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文