Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| 其他题名 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
| 楓 弘志; 伊藤 顕知; 川本 和民; 黒沢 久夫; 伊藤 康平; 佐藤 正純 | |
| 1993-10-26 | |
| 专利权人 | 日立金属株式会社 |
| 公开日期 | 1993-10-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長によりニオブ酸リチウム単結晶薄膜を製造する方法において、ルツボ内の溶融体の温度分布及び各成分の混合状態を均一にし、所定膜厚であって光学特性のよいものを製造できるようにした。 【構成】 Li2O、Nb2O5、V2O5を含む原料をルツボ2内で加熱溶融し、その溶融体内に攪拌羽根8を入れて、攪拌羽根を3時間以下上下動するとともに正逆回転して溶融体を均一混合状態にするとともに、温度分布を均一にしてエピタキシャル成長をさせた。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在单晶薄膜的外延生长中使坩埚中熔融材料中各组分的温度分布和混合状态均匀化，制备具有规定厚度和优异光学特性的铌酸锂单晶薄膜。组成：含有Li2O，Nb2O5和V2O5的原料通过在坩埚2中加热而熔化。将搅拌叶片8插入熔融材料中并在往复旋转下在垂直方向上往复运动<= 3hr，以得到均匀混合的熔融材料。在均匀温度分布条件下影响单晶的外延生长。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-04-03 |
| 专利号 | JP1993279193A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992110751 |
| 公开（公告）号 | JP1993279193A |
| IPC 分类号 | C30B29/30 | C30B19/04 | H01S | G02F1/355 | G02F | C30B | H01S5/00 | G02F1/35 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 牧 克次 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64209 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立金属株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 楓 弘志,伊藤 顕知,川本 和民,等. ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法. JP1993279193A[P]. 1993-10-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993279193A.PDF（43KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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