インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法

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	インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法
其他题名	インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法
	ケヴィンジェイ.ビアニンク; デービッドピー.ボアー; トーマスエル.パオリ; ロスディー.ブリンガンス; グレゴリージェイ.コヴァクス
	1996-09-13
专利权人	ゼロックスコーポレイション
公开日期	1996-09-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】不純物誘起層無秩序化(IILD)によって作製され、分岐リーク電流を減ずるために、半導体タイプの変換を要しないインデックスガイド半導体レーザの製造を提供する【解決手段】次の工程を有する。(a)半導体基体上に、低部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、上部クラッド層上のキャップ層とを含む半導体物質の層を設ける。(b)前記の層をストライプ領域の側部に位置する構造体領域に組み入れて、キャップ層からそこを通して、活性層の下のレベルまで下方に延び、かつ活性層よりも低い屈折率を有する側部無秩序化領域を形成する。なお、の無秩序化領域は、上部クラッド層とキャップ層とが逆の半導体タイプであり、且つ無秩序化領域とキャップ層との界面に、分岐接合を形成する表面部分を有する。(c)キャップ層に隣接する無秩序化領域の表面を置換し、分岐電流を防止するのに効果的な非導通性物質でシャントジャンクションを形成する。
其他摘要	要解决的问题：通过杂质诱导层无序化（IILD）产生折射率引导半导体二极管激光器，并且消除了转换半导体类型以减小分支漏电流的必要性。解决方案：此方法包括以下步骤。在半导体衬底上提供包括下包层，有源层，上包层和上包层上的盖层的半导体材料层。该层结合在位于条纹区域的侧面部分上的结构区域中，并且横向无序区域从盖层穿过结构区域向下延伸到有源层下方的水平并且具有比有源层低的折射率。形成了。在该无序区域中，上包层和盖层具有反半导体类型，并且在无序区域和盖层之间的界面上提供形成分支结的表面部分。通过使用非导电材料形成分流结，该非导电材料有效地代替与盖层相邻的无序区域的表面并防止分支电流。
主权项	-
申请日期	1995-12-28
专利号	JP1996236859A
专利状态	失效
申请号	JP1995344067
公开（公告）号	JP1996236859A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S \| H01S5/227 \| H01S5/34 \| H01S5/20 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	中島淳 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64176
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックスコーポレイション
推荐引用方式 GB/T 7714	ケヴィンジェイ.ビアニンク,デービッドピー.ボアー,トーマスエル.パオリ,等. インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法. JP1996236859A[P]. 1996-09-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996236859A.PDF（153KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文