Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体及びその形成方法 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体及びその形成方法 |
| 樋江井 太; 伊藤 哲; 秋本 克洋 | |
| 1994-11-25 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】高いネットアクセプター濃度(Na-Nd)を有するp型のII-VI族化合物半導体、及びその形成方法を提供する。 【構成】本発明のII-VI族化合物半導体は、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成る。II-VI族化合物半導体の形成方法は、基板上に、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るp型II-VI族化合物半導体層を分子線エピタキシー法にて形成する。 |
| 其他摘要 | 用途：通过一种方法获得高净受主浓度，其中使用由第I族元素，第V族元素和氧组成的化合物作为p型掺杂剂。组成：通过MBE方法，在由n型GaAs组成的化合物半导体衬底12的表面上形成由n型ZnGe组成的n型覆层14。然后，在由ZnCdSe构成的有源层16，由p型ZrSe构成的p型覆盖层18和构成的p型覆盖层20上形成由Au等构成的p型上部电极22。在基板12上形成p型ZnTe和由In构成的n型背电极24.由于使用由I族元素，V族元素和氧组成的化合物作为p型掺杂剂以这种方式，组I元素和组V元素进入组II元素和组VI元素的位点并充当受体。另外，由于氧元素以相同的方式起作用，因此可以实现净受体浓度，其由各个受体浓度的晶体浓度N1的总和决定。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1993-05-13 |
| 专利号 | JP1994326138A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993134100 |
| 公开（公告）号 | JP1994326138A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | C30B29/48 | H01S5/00 | C30B23/08 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山本 孝久 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64161 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋江井 太,伊藤 哲,秋本 克洋. II-VI族化合物半導体及びその形成方法. JP1994326138A[P]. 1994-11-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994326138A.PDF（20KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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