Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 発光素子およびそれを用いたレーザCRT | |
| 其他题名 | 発光素子およびそれを用いたレーザCRT |
| 浅野 竹春; 船戸 健次; 戸田 淳 | |
| 1995-12-22 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 高効率の発光素子とそれを用いたレーザCRTを提供すること。 【構成】 本発明の発光素子1は活性層2を第1のクラッド層3と第2のクラッド層4とで挟んだDH構造であり、第1、第2のクラッド層3、4としてZnMgSeTeから成る材料を用いる。またこの第1、第2のクラッド層3、4を用いるとともに活性層2としてZnTeを用いたり、ZnCdSeTeを用いたり、ZnMgSeTeを用いたりする。また本発明のレーザCRTは上記発光素子1の活性層2としてZnTeを用いて緑色レーザ光を出射し、ZnCdSeTeを用いて赤色レーザ光を出射し、ZnMgSeTeを用いて青色レーザ光を出射しこれらをスクリーン上に照射して所望の画像を得るようにしたものである。 |
| 其他摘要 | 目的：提供高效率的发光，通过形成有源层保持在包层之间的结构，可以设定所需的带隙，使ZnTe有源层中的晶格与两个包层中的晶格相匹配并使用ZnMgSeTe制作包层。组成：发光元件1具有GH结构，其中指定的有源层2保持在第一和第二包层3和4之间并层压在GaAs，InAs或GaSb衬底10上。层3和4具有ZnxMg1-xSeyTe1 -y混晶结构，其中它们使晶格与有源层2匹配并具有比该层更大的带隙。通过使用包层，可以制造由于有源层2而没有晶格缺陷和高效发光的发光元件1。由于层3和4的晶格匹配是由层2制成的，因此可以自由地设定每层的厚度设定。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1994-06-14 |
| 专利号 | JP1995335990A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994156671 |
| 公开（公告）号 | JP1995335990A |
| IPC 分类号 | H01S3/00 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 船橋 國則 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64146 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 竹春,船戸 健次,戸田 淳. 発光素子およびそれを用いたレーザCRT. JP1995335990A[P]. 1995-12-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995335990A.PDF（42KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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