Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 |
後藤 順; 皆川 重量; 河田 雅彦; 赤松 正一 | |
1998-09-11 | |
专利权人 | HITACHI LTD |
公开日期 | 1998-09-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】 バンドギャップが大きく且つp型キャリア濃度が1×1018cm-3以下に制限される窒化ガリウム系半導体において良好なオーミック接触を得る電極構造を提供すること。 【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層にMgを含まず且つ密着性·反応性の高い元素(Ni、Ti等)からなる第1層とMgを含む第2層とをこの順に積層して電極構造を形成し、その後、アニーリング処理を行う。これにより、当該半導体中へ第2層からp型ドーパント金属たるMgを拡散させる。第1層をNi又はTiで形成すると、この拡散は速やかに進行する。 【効果】 上記電極構造を半導体素子のp側電極に採用することで、接触抵抗の低減が図られ、素子の動作電圧も低減した。 |
其他摘要 | 要解决的问题:通过构成由含有Ni和Mg的合金或其中层压有Ni和Mg的多层膜的电极结构,在电极结构和p型层之间获得优异的欧姆结。另一种作为氮化镓化合物半导体元件的电极材料的一部分。解决方案:提供蓝宝石衬底1,非晶GaN缓冲层2和p型Mg掺杂GaN层3。通过使用金属有机气相外延生长装置在基板晶体1上连续生长层2和3。例如,使用三甲基镓(TMGa)和环戊二烯基镁(Cp2Mg)作为原料。通过加热器气相沉积法气相沉积Ni和Mg,并通过电子束气相沉积法气相沉积Ti和Pt。最后,Au通过剥离方法气相沉积。在气相沉积Au之后,通过剥离方法形成At / Pt / Ti / Mg / Ni电极4。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1997-02-28 |
专利号 | JP1998242520A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1997045231 |
公开(公告)号 | JP1998242520A |
IPC 分类号 | H01L | H01L33/40 | H01S | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 小川 勝男 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64074 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HITACHI LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,皆川 重量,河田 雅彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法. JP1998242520A[P]. 1998-09-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1998242520A.PDF(46KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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