Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 | |
| 其他题名 | 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 |
| 丹羽 敦子; 後藤 順; 内田 憲治; 五島 滋雄; 高濱 光治; 楊 涛 | |
| 2000-08-22 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 2000-08-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザでは、ドライエッチング時のダメージによる素子特性の低下が問題であった。 【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体を酸素を含む気相あるいはプラズマ中でドライエッチングする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在氮化镓基化合物半导体激光器中，由于干蚀刻期间的损坏导致的元件特性的劣化是一个问题。 解决方案：在含氧或等离子体的气相中干法蚀刻氮化镓化合物半导体。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1999-02-10 |
| 专利号 | JP2000232094A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999032329 |
| 公开（公告）号 | JP2000232094A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L21/3065 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L21/302 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64031 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹羽 敦子,後藤 順,内田 憲治,等. 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子. JP2000232094A[P]. 2000-08-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000232094A.PDF（25KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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