半導体構造

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体構造
其他题名	半導体構造
	インドレコーファー·ミヒァエル; レート·ハンス; フェルスター·アーノルト
	2007-11-29
专利权人	フォルシュングスツェントルム·ユーリッヒ·ゲゼルシャフト·ミット·ベシュレンクテル·ハフツング
公开日期	2007-11-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体構造が、少なくとも1つの第1材料領域及び1つの第2材料領域を有する。この場合、第2材料領域が、第1材料領域をエピタキシャルに包囲して界面を形成する。この構造は、フェルミ準位ピニングが両材料領域の界面に対向する第2材料領域の非エピタキシャル界面に存在し、第1材料領域が自由荷電キャリアに対する量子井戸を形成することを特徴とする。これによって、量子井戸内の制御可能な荷電キャリア濃度が調整され得る。
其他摘要	本发明涉及一种半导体结构，包括至少一个第一材料区和第二材料区，由此第二材料区外延地围绕第一材料区并形成边界表面。该结构的特征在于费米能级钉扎存在于与两个材料区域的边界表面相对的第二材料区域的非外延边界表面上，并且第一材料区域形成用于自由载流子的量子阱。这有利地导致能够在量子阱中设定可控的电荷载流子浓度
主权项	-
申请日期	2005-01-21
专利号	JP2007535137A
专利状态	失效
申请号	JP2006551710
公开（公告）号	JP2007535137A
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01L29/12 \| H01L \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01L29/775 \| H01L29/06 \| H01L33/00 \| H01L29/66 \| H01L33/24
专利代理人	江崎光史 \| 奥村義道 \| 鍛冶澤實
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64024
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フォルシュングスツェントルム·ユーリッヒ·ゲゼルシャフト·ミット·ベシュレンクテル·ハフツング
推荐引用方式 GB/T 7714	インドレコーファー·ミヒァエル,レート·ハンス,フェルスター·アーノルト. 半導体構造. JP2007535137A[P]. 2007-11-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007535137A.PDF（234KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文