Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体装置および通信装置 | |
| 其他题名 | 化合物半導体装置および通信装置 |
| 寺野 昭久; 樋口 克彦; 工藤 真 | |
| 2000-08-15 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 2000-08-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 Inが含まれる化合物半導体に対する従来技術の Au/Mo/Ni/ Au-Ge合金からなる4層構造のオーミック電極は、アニール温度が300℃から400℃まで上昇する間にコンタクト抵抗が10倍以上増大する。また350℃以上のアニールによってアロイ層が所定の電極パターンから横方向にはみ出した形で形成される。 【解決手段】 従来技術電極の Au-Ge合金層とNi層との間にW層を設ける。W層の膜厚は5nm〜20nmの範囲にあることが望ましい。 【効果】 耐熱環境性に優れた化合物半導体装置及び通信装置を実現できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有由根据现有技术的Au / Mo / Ni / Au-Ge合金制成的四层结构的欧姆电极，用于含有In的化合物半导体，接触电阻为10，同时退火温度从300℃升高。超过一倍。另外，合金层通过在350℃或更高温度下退火以从预定电极图案横向突出的形式形成。 解决方案：在Au-Ge合金层和现有技术电极的Ni层之间提供W层。期望W层的膜厚度在5nm至20nm的范围内。 [效果]可以实现耐热性环境耐性优异的化合物半导体器件和通信器件。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1999-02-05 |
| 专利号 | JP2000228371A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999028085 |
| 公开（公告）号 | JP2000228371A |
| IPC 分类号 | H01L29/205 | H01L29/73 | H01L21/331 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01L29/737 | H01L21/28 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63930 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺野 昭久,樋口 克彦,工藤 真. 化合物半導体装置および通信装置. JP2000228371A[P]. 2000-08-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000228371A.PDF（54KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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