II-VI族化合物半導体発光素子の製法

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	II-VI族化合物半導体発光素子の製法
其他题名	II-VI族化合物半導体発光素子の製法
	吉田浩; 浮田昌一; 中野一志; 石橋晃
	1995-12-22
专利权人	SONY CORP
公开日期	1995-12-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子において、結晶欠陥に起因する上述した歩留り、信頼性、寿命の問題の解決をはかる。【構成】 II-VI族化合物半導体発光素子の活性層を構成する半導体層の非発光再結合促進欠陥運動の核となる結晶欠陥の密度がnnrcm-2であり、上記結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子を構成する目標とする割合をR(すなわちR=結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子の数/作製した半導体発光素子の総数〔%〕)とするとき、この半導体発光素子1の電流注入領域の面積Sを、S≦ln(100/R)/nnrcm2に選定する。
其他摘要	目的：减少有缺陷的产品的发生频率。由于晶体缺陷的存在，提高了产量，抑制了由于缺陷的移动而产生的位错，并且通过指定半导体发光元件的电流注入区域的面积来改善寿命和可靠性。组成：在等式中，S是电流注入区域的面积，nnrcm 2是II-VI compd的有源层中晶体缺陷的密度。半导体发光元件和R是其各部分的比例的设定值。晶体缺陷。半导体发光元件1具有晶片状基板3，在该基板上具有缓冲层4，包层5，引导层6，有源层2，引导层7，包层8，盖层9和接触层的外延晶片形成图10所示的电流收缩部分15，电极17和18等。特别地，根据等式选择电流注入区域14的面积S（= WXL，W和L是条带部分的宽度和长度）。
主权项	-
申请日期	1994-06-14
专利号	JP1995335987A
专利状态	失效
申请号	JP1994132046
公开（公告）号	JP1995335987A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01L33/08 \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	松隈秀盛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63929
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	吉田浩,浮田昌一,中野一志,等. II-VI族化合物半導体発光素子の製法. JP1995335987A[P]. 1995-12-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995335987A.PDF（100KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文