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利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器
其他题名利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器
武林; 王磊; 郭山溧; 何建军
2012-07-04
专利权人浙江大学
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器。包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔和耦合器;所述多边形谐振腔与FP谐振腔之间通过耦合器相互耦合。多边形谐振腔通过全内反射的原理实现光波在多边形谐振腔顶点处的转向,从而得到谐振回路,多边形谐振腔的每个边都和FP谐振腔一样采用浅刻蚀工艺,减小了损耗;多边形谐振腔充当滤波器的功能,与FP谐振腔相互耦合进行选模,实现激光器的单模工作。本发明无需制作光栅,结构简单,这种利用全内反射多边形谐振腔选模的设计可以用来实现无跳模式调谐或者数字式调谐的半导体激光器。
其他摘要本发明公开了一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器。包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔和耦合器;所述多边形谐振腔与FP谐振腔之间通过耦合器相互耦合。多边形谐振腔通过全内反射的原理实现光波在多边形谐振腔顶点处的转向,从而得到谐振回路,多边形谐振腔的每个边都和FP谐振腔一样采用浅刻蚀工艺,减小了损耗;多边形谐振腔充当滤波器的功能,与FP谐振腔相互耦合进行选模,实现激光器的单模工作。本发明无需制作光栅,结构简单,这种利用全内反射多边形谐振腔选模的设计可以用来实现无跳模式调谐或者数字式调谐的半导体激光器。
主权项一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器,其特征在于:包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔(2)和耦合器(3);多边形谐振腔的所有顶点处均为深刻蚀全内反射面,耦合器(3)的第一端口(31)及第二端口(32)串接在多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中,耦合器(3)的第三端口(33)和第四端口(34) 串接在有源FP谐振腔(2)中,沿有源FP谐振腔(2)方向,多边形谐振腔中对称设有波长调谐区,多边形谐振腔设置在有源FP谐振腔(2)的一侧。
申请日期2012-01-06
专利号CN102545043A
专利状态授权
申请号CN201210002902.X
公开(公告)号CN102545043A
IPC 分类号H01S5/12
专利代理人林怀禹
代理机构杭州求是专利事务所有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63820
专题半导体激光器专利数据库
作者单位浙江大学
推荐引用方式
GB/T 7714
武林,王磊,郭山溧,等. 利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器. CN102545043A[P]. 2012-07-04.
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